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铭芯启睿（MemSilicon）于2026年10月12日宣布完成国际首款基于1TnR技术路线的高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量达1Gb，密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破。1TnR技术通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，降低平均晶体管面积开销，同时采用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，兼顾密度、容量与成本。该芯片的流片标志着1TnR技术从早期研究迈向Gb级产品化，为片上高密度大容量非易失存储提供了具有国际竞争力的解决方案，目前正在推进验证。